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IGP30N60H3XKSA1
IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGP30N60H3XKSA1
Bestellnummer1832334
Auch bekannt alsIGP30N60H3, SP000702546
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.080 |
| 10+ | CHF 2.920 |
| 100+ | CHF 1.410 |
| 500+ | CHF 1.140 |
| 1000+ | CHF 0.989 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGP30N60H3XKSA1
Bestellnummer1832334
Auch bekannt alsIGP30N60H3, SP000702546
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom30A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.4V
Verlustleistung187W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IGP30N60H3 handelt es sich um einen High-Speed-IGBT in Trench- und Feldstop-Technologie. Der High-Speed-Baustein wird verwendet, um die Größe der aktiven Bauelemente (25 bis 70kHz) zu reduzieren. Er bietet den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten. Das wichtigste Merkmale dieses Modells ist das Ausschaltverhalten, das dem eines MOSFET ähnelt, wodurch geringe Verluste während des Ausschaltvorgangs erzielt werden.
- Speziell entwickelt als Ersatz für planare MOSFETs in Anwendungen mit Schaltfrequenzen von unter 70kHz
- Geringe Schaltverluste für hohen Wirkungsgrad
- Schnelles Schalten mit niedrigen EMV-Emissionen
- Optimierte Diode für Zielanwendungen, wodurch eine weitere Verbesserung im Bezug auf Schaltverluste erreicht wird
- Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands (ab 5 Ohm) möglich, wobei das hervorragende Schaltverhalten bestehen bleibt
- Kurzschlussfest
- Hervorragende Leistung
- Geringe Schalt- und Leitungsverluste
- Sehr gutes EMV-Verhalten
- Niedriger Gate-Widerstand für reduzierte Verzögerungszeit und weniger Spannungsüberschwingen
- Klassenbester IGBT-Wirkungsgrad und klassenbestes EMV-Verhalten
- Erhältlich mit und ohne Freilaufdiode für größere Designfreiheit
- Umweltfreundliches Produkt
- Halogenfrei
Anwendungen
Power-Management, Alternative Energien
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
30A
Verlustleistung
187W
Bauform - Transistor
TO-220
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.4V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IGP30N60H3XKSA1
1 Produkt(e) gefunden
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3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00195
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