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IGLR65R200D2XUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLR65R200D2XUMA1
Bestellnummer4573840
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLR65R200D2, SP005918715
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.080 |
| 10+ | CHF 1.550 |
| 100+ | CHF 1.230 |
| 500+ | CHF 1.040 |
| 1000+ | CHF 0.880 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 2.08 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLR65R200D2XUMA1
Bestellnummer4573840
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLR65R200D2, SP005918715
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.24ohm
Gate-Ladung, typ.1.26nC
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.24ohm
Bauform - Transistor
TSON
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
9.2A
Gate-Ladung, typ.
1.26nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001