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IDM08G120C5XTMA1
SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 (DPAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIDM08G120C5XTMA1
Bestellnummer2780806
ProduktpalettethinQ 5G 1200V
Auch bekannt alsIDM08G120C5, SP001162122
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.920 |
| 10+ | CHF 2.010 |
| 100+ | CHF 1.530 |
| 500+ | CHF 1.350 |
| 1000+ | CHF 1.320 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 2.92 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIDM08G120C5XTMA1
Bestellnummer2780806
ProduktpalettethinQ 5G 1200V
Auch bekannt alsIDM08G120C5, SP001162122
Technisches Datenblatt
ProduktpalettethinQ 5G 1200V
DiodenkonfigurationEinfach
Periodische Spitzensperrspannung1.2kV
Durchschnittlicher Durchlassstrom27A
Kapazitive Gesamtladung28nC
Bauform - DiodeTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins2 Pins
Betriebstemperatur, max.175°C
DiodenmontageOberflächenmontage
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Produktpalette
thinQ 5G 1200V
Periodische Spitzensperrspannung
1.2kV
Kapazitive Gesamtladung
28nC
Anzahl der Pins
2 Pins
Diodenmontage
Oberflächenmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diodenkonfiguration
Einfach
Durchschnittlicher Durchlassstrom
27A
Bauform - Diode
TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
Produktnachverfolgung