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FF450R33T3E3B5BPSA1
IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFF450R33T3E3B5BPSA1
Bestellnummer3021698
ProduktpaletteXHP3
Auch bekannt alsFF450R33T3E3_B5, SP001779550
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationZweifach [Halbbrücke]
Wandlerpolaritätn-Kanal
DC-Kollektorstrom450A
Dauer-Kollektorstrom450A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)2.5V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.5V
Verlustleistung-
Verlustleistung Pd-
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo3.3kV
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins10Pin(s)
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.3.3kV
IGBT-TechnologieIGBT 3 [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteXHP3
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom
450A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
2.5V
Verlustleistung
-
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
10Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
3.3kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Kollektorstrom
450A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.5V
Verlustleistung Pd
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
3.3kV
Bauform - Transistor
Modul
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
IGBT-Technologie
IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Produktpalette
XHP3
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00036
Produktnachverfolgung