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BSS816NWH6327XTSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.213 |
| 50+ | CHF 0.0987 |
| 250+ | CHF 0.091 |
| 1000+ | CHF 0.0651 |
| 5000+ | CHF 0.0492 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS816NWH6327XTSA1
Bestellnummer2617470
ProduktpaletteOptiMOS 2
Auch bekannt alsBSS816NW H6327, SP000917562
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.16ohm
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung2.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.550mV
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS 2
QualifikationAEC-Q101
Produktbeschreibung
- OptiMOS™-2-n-Kanal-Kleinsignaltransistor
- Anreicherungstyp
- Ultra-Logikpegel (1.8V Nennspannung)
- Avalanche-fähig
- Qualifiziert nach AEC Q101
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.4A
Bauform - Transistor
SOT-323
Rds(on)-Prüfspannung
2.5V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.16ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
550mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 2
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001