BSC120N03MSGATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.409 |
| 10+ | CHF 0.301 |
| 100+ | CHF 0.238 |
| 500+ | CHF 0.173 |
| 1000+ | CHF 0.155 |
| 5000+ | CHF 0.143 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
BSC120N03MS G ist ein n-Kanal-Leistung-MOSFET mit OptiMOS™-Technologie, der bei Leistungsdichte und Energieeffizienz neue Maßstäbe setzt. Er ist durch besseres EMI-Verhalten und eine längere Batteriedauer auf die Anforderungen des Power-Managements zugeschnitten. Der Baustein ist in Halbbrückenkonfiguration erhältlich.
- Vereinfachtes Produktdesign
- Längere Batterielebensdauer
- Verbessertes EMI-Verhalten, wodurch externe Löschglieder obsolet sind
- Platzsparend
- Reduziert Leistungsverluste
- MOSFET mit hoher Schaltfrequenz für Schaltnetzteile (SNT)
- Optimiert für 5V-Treiberanwendung
- Niedrige FOMSW für Hochfrequenz-SNT
- 100% Avalanche-getestet
- Sehr niedriger Durchgangswiderstand (RDS (ON)) bei VGS = 4.5V
- Hervorragende Gütezahl (FOM, Gateladung x RDS(ON))
- Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
- Herausragender Wärmewiderstand
- Halogenfrei, umweltfreundlich
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, LED-Beleuchtung, Computer & Computerperipheriegeräte, Tragbare Geräte, Unterhaltungselektronik
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
39A
PG-TDSON
10V
28W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
30V
0.012ohm
Oberflächenmontage
1V
8Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BSC120N03MSGATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat