BSC093N04LSGATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.582 |
| 10+ | CHF 0.406 |
| 100+ | CHF 0.352 |
| 500+ | CHF 0.271 |
| 1000+ | CHF 0.214 |
| 5000+ | CHF 0.188 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
BSC093N04LS G ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET für 60V, der für die Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen optimiert ist, wie sie in Servern, Desktop-Rechnern und Tablet-Ladegeräten verwendet werden. Dank deutlich reduzierter Gate-Ladung und Ausgangsladung wird ein hoher Systemwirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte erreicht. Der OptiMOS™-Leistungs-MOSFET ist ideal geeignet für hohe Schaltfrequenzen und DC/DC-Wandler.
- Höchster Systemwirkungsgrad
- Erfordert weniger Parallelschaltung
- Höhere Leistungsdichte
- Platzsparend
- Sehr geringes Spannungsüberschwingen
- Herausragender Wärmewiderstand
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
49A
PG-TDSON
10V
35W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
40V
0.0093ohm
Oberflächenmontage
1.2V
8Pin(s)
OptiMOS 3 Series
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat