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BSC0901NSIATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | CHF 0.721 |
| 100+ | CHF 0.442 |
| 500+ | CHF 0.358 |
| 1000+ | CHF 0.346 |
| 5000+ | CHF 0.308 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSC0901NSIATMA1
Bestellnummer2725813
ProduktpaletteOptiMOS
Auch bekannt alsBSC0901NSI, SP000819818
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1700µohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.2V
Verlustleistung69W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100A
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
69W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1700µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSC0901NSIATMA1
7 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000172
Produktnachverfolgung