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BSC0901NSIATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Montage en surface
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|---|---|
| 1+ | CHF 1.060 |
| 10+ | CHF 0.721 |
| 100+ | CHF 0.442 |
| 500+ | CHF 0.358 |
| 1000+ | CHF 0.346 |
| 5000+ | CHF 0.308 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC0901NSIATMA1
Code Commande2725813
Gamme de produitOptiMOS
Egalement appeléBSC0901NSI, SP000819818
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1700µohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.2V
Dissipation de puissance69W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
100A
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
69W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1700µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSC0901NSIATMA1
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000172
Traçabilité des produits