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BFR193L3E6327XTMA1
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR193L3E6327XTMA1
Bestellnummer2787851RL
Auch bekannt alsBFR 193L3 E6327, SP000013557
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 1000+ | CHF 0.120 |
| 5000+ | CHF 0.117 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR193L3E6327XTMA1
Bestellnummer2787851RL
Auch bekannt alsBFR 193L3 E6327, SP000013557
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.12V
Übergangsfrequenz8GHz
Verlustleistung580mW
Dauer-Kollektorstrom80mA
Bauform - TransistorTSLP-3-1
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.70hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
8GHz
Dauer-Kollektorstrom
80mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
12V
Verlustleistung
580mW
Bauform - Transistor
TSLP-3-1
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
70hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000025
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