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BAR81WH6327XTSA1
HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 30 V, SOT-343, 4 Pins, 0.9 pF
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.235 |
| 500+ | CHF 0.219 |
| 1000+ | CHF 0.215 |
| 5000+ | CHF 0.208 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBAR81WH6327XTSA1
Bestellnummer2480904RL
ProduktpaletteBAR81
Auch bekannt alsBAR 81W H6327, SP000743450
Technisches Datenblatt
DiodenkonfigurationEinfach
Widerstand bei If1ohm
Sperrspannung30V
Bauform - DiodeSOT-343
Anzahl der Pins4 Pins
Diodenkapazität0.9pF
Durchlassstrom100mA
Betriebstemperatur, max.125°C
Durchlassspannung1V
Verlustleistung100mW
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteBAR81
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BAR 81W H6327 is a Silicon RF Switching Diode with shunt-diode configuration. It is designed for use in shunt configuration in high performance RF switches.
- High shunt signal isolation
- Low shunt insertion loss
- Optimized for short - open transformation using λ/4 lines
- -55 to 125°C Operating temperature range
Anwendungen
HF-Kommunikation, Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Diodenkonfiguration
Einfach
Sperrspannung
30V
Anzahl der Pins
4 Pins
Durchlassstrom
100mA
Durchlassspannung
1V
Diodenmontage
Oberflächenmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Widerstand bei If
1ohm
Bauform - Diode
SOT-343
Diodenkapazität
0.9pF
Betriebstemperatur, max.
125°C
Verlustleistung
100mW
Produktpalette
BAR81
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000048
Produktnachverfolgung