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SI7898DP-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.854 |
| 9000+ | CHF 0.812 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
CHF 2’562.00 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7898DP-T1-GE3
Code Commande4384455
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..150V
Courant de drain Id3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.068ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance1.9W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.9W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.068ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI7898DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000145
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