Imprimer la page
SI7898DP-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 3 A, 0.085 ohm, SOIC, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
13’780 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 1.190 |
| 500+ | CHF 0.917 |
| 1000+ | CHF 0.865 |
| 5000+ | CHF 0.741 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
CHF 124.00 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7898DP-T1-GE3
Code Commande1794797RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds150V
Courant de drain Id3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.085ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance1.9W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SI7898DP-T1-GE3 est un MOSFET de puissance à mode de renforcement, canal N TrenchFET® 150VDS adapté aux applications de commutation latérale primaire d’alimentation DC/DC et commande de moteur industriel.
- PowerPAK® avec une faible résistance thermique, une petite taille et un bas profil de 1,07 mm
- PWM optimisé
- Commutation rapide
- Testé 100% Rg
- Sans halogène
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a causé un allongement des délais, les dates de livraison peuvent fluctue
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.9W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.085ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000225
Traçabilité des produits