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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 450+ | CHF 18.080 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 450
Multiple: 450
CHF 8’136.00 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L025N065SC1.
Code Commande4070490
Fiche technique
Configuration du module MOSFET-
Type de canalN Channel
Courant de drain Id99A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0285ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max4.3V
Dissipation de puissance348W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
-
Courant de drain Id
99A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0285ohm
Nbre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4.3V
Température d'utilisation Max.
175°C
Type de canal
N Channel
Tension Drain-Source Vds
650V
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
348W
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVH4L025N065SC1.
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.008256
Traçabilité des produits