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NVH4L025N065SC1.
MOSFET Module Configuration:-
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| Menge | |
|---|---|
| 450+ | CHF 18.080 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 450
Mehrere: 450
CHF 8’136.00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVH4L025N065SC1.
Bestellnummer4070490
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-Konfiguration-
KanaltypN Channel
Dauer-Drainstrom Id99A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0285ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.3V
Verlustleistung348W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
-
Dauer-Drainstrom Id
99A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0285ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.3V
Betriebstemperatur, max.
175°C
Kanaltyp
N Channel
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
348W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für NVH4L025N065SC1.
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.008256
Produktnachverfolgung