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HCM1A2213V2-4R7-R
Leistungsinduktivität (SMD), AEC-Q200, 4.7 µH, 33 A, Geschirmt, 37 A, HCM1A2213V2 Series
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerEATON BUSSMANN
HerstellerteilenummerHCM1A2213V2-4R7-R
Bestellnummer3269879RL
ProduktpaletteHCM1A2213V2 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | CHF 6.590 |
| 20+ | CHF 5.950 |
| 40+ | CHF 5.830 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerEATON BUSSMANN
HerstellerteilenummerHCM1A2213V2-4R7-R
Bestellnummer3269879RL
ProduktpaletteHCM1A2213V2 Series
Technisches Datenblatt
Induktivität4.7µH
RMS-Strom Irms33A
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)37A
ProduktpaletteHCM1A2213V2 Series
Bauform - Leistungsinduktivität22.48mm x 22mm x 13mm
Bauform/Gehäuse der Induktivität-
DC-Widerstand, max.0.00185ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge22.48mm
Produktbreite22mm
Produkthöhe13mm
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Induktivität
4.7µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktpalette
HCM1A2213V2 Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität
-
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
22mm
SVHC
To Be Advised
RMS-Strom Irms
33A
Sättigungsstrom (Isat)
37A
Bauform - Leistungsinduktivität
22.48mm x 22mm x 13mm
DC-Widerstand, max.
0.00185ohm
Produktlänge
22.48mm
Produkthöhe
13mm
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.01