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ZXTN04120HKTC
Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 1.5 A, 1.5 W
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.360 |
| 500+ | CHF 0.277 |
| 1000+ | CHF 0.250 |
| 5000+ | CHF 0.187 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerZXTN04120HKTC
Bestellnummer3944379RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.120V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN1.5A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN1.5W
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.500hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN150MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
1.5A
Verlustleistung, NPN
1.5W
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
500hFE
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
150MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung