Seite drucken
ZXMS6004FFTA
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.5 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 38 Woche(n)
Benachrichtigen Sie mich, wenn das Produkt wieder vorrätig ist
| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.421 |
| 9000+ | CHF 0.368 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
CHF 1’263.00 (ohne MwSt.)
Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerZXMS6004FFTA
Bestellnummer4318406
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.5ohm
Bauform - TransistorSOT-23F
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung830mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
ZXMS6004FFTA is an INTELLIFET™ N-channel self protected enhancement mode MOSFET with logic level input. It integrates over-temperature, over-current, overvoltage (active clamp) and ESD protected logic level functionality. The ZXMS6004FF is ideal as a general purpose switch driven from 3.3V or 5V microcontrollers in harsh environments where standard MOSFETs are not rugged enough. Suited for loads with a high in-rush current such as lamps and motors.
- Low input current, compact high power dissipation
- Logic-level input, short-circuit protection with auto start
- Overvoltage protection, over-current protection
- Thermal shutdown with auto start
- Continuous drain source voltage of 60V
- On-state resistance of 500mohm
- Nominal load current (VIN = 5V) of 1.3A
- Clamping energy of 90mJ
- High continuous current rating
- 3 pin SOT23F package, operating temperature range from -40 to +150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2A
Bauform - Transistor
SOT-23F
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
830mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012
Produktnachverfolgung