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ZXMS6004FFTA
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 2 A, 0.5 ohm, SOT-23F, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 38 semaine(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.421 |
| 9000+ | CHF 0.368 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
CHF 1’263.00 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMS6004FFTA
Code Commande4318406
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.5ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23F
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance830mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
ZXMS6004FFTA is an INTELLIFET™ N-channel self protected enhancement mode MOSFET with logic level input. It integrates over-temperature, over-current, overvoltage (active clamp) and ESD protected logic level functionality. The ZXMS6004FF is ideal as a general purpose switch driven from 3.3V or 5V microcontrollers in harsh environments where standard MOSFETs are not rugged enough. Suited for loads with a high in-rush current such as lamps and motors.
- Low input current, compact high power dissipation
- Logic-level input, short-circuit protection with auto start
- Overvoltage protection, over-current protection
- Thermal shutdown with auto start
- Continuous drain source voltage of 60V
- On-state resistance of 500mohm
- Nominal load current (VIN = 5V) of 1.3A
- Clamping energy of 90mJ
- High continuous current rating
- 3 pin SOT23F package, operating temperature range from -40 to +150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2A
Type de boîtier de transistor
SOT-23F
Tension de test Rds(on)
5V
Dissipation de puissance
830mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.5ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000012
Traçabilité des produits