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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerZXMP6A18K
Bestellnummer1251239RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id10.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.055ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung4.3W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
ZXMP6A18K ist ein -60V-p-Kanal-MOSFET (Anreicherungstyp). Dieser MOSFET nutzt eine einzigartige Struktur, die die Vorzüge eines niedrigen Durchgangswiderstands Rds(on) und einer hohen Schaltfrequenz verbindet, sodass sich der Baustein hervorragend für Niederspannungs-Power-Management-Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad eignet.
- Niedriger Betriebswiderstand
- Hohe Schaltfrequenz
- Niedriger Schwellenwert
- Niedriger Gate-Drive
Anwendungen
Motorantrieb & -steuerung, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
10.4A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
4.3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.055ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00081
Produktnachverfolgung