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ZDT6753TA
Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 100 V, 100 V, 2 A, 2 A, 2.75 W
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.654 |
| 500+ | CHF 0.517 |
| 1000+ | CHF 0.470 |
| 5000+ | CHF 0.443 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerZDT6753TA
Bestellnummer3944357RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätKomplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.100V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.100V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN2A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP2A
Verlustleistung, NPN2.75W
Verlustleistung, PNP2.75W
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.25hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.25hFE
Bauform - TransistorSM8
Anzahl der Pins8Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN175MHz
Übergangsfrequenz, PNP140MHz
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Komplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
100V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
2A
Verlustleistung, PNP
2.75W
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
25hFE
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
140MHz
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
100V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
2A
Verlustleistung, NPN
2.75W
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
25hFE
Bauform - Transistor
SM8
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
175MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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