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MMDT5551-7-F
Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.329 |
| 10+ | CHF 0.175 |
| 100+ | CHF 0.118 |
| 500+ | CHF 0.0826 |
| 1000+ | CHF 0.076 |
| 5000+ | CHF 0.0515 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerMMDT5551-7-F
Bestellnummer1773597
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.160V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN200mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN200mW
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.80hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN300MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMDT5551-7-F ist ein zweifaches NPN-Kleinsignal-Bipolartransistor-Array mit einem Dauer-Kollektorstrom von 200mA und einer Kollektor-Basis-Spannung von 180V zur Oberflächenmontage. Dieser Transistor ist ideal für Verstärkungs- und Schaltanwendungen im mittleren Leistungsbereich.
- Flammfest gemäß UL94V-0
- Epitaxial-Planar-Konstruktion
- Äußerst kompaktes SMD-Gehäuse
- Umweltfreundliches Produkt
- Komplementärer PNP-Baustein: MMDT5401
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Verteidigung, Militär und Luft- & Raumfahrt, Power-Management, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
200mA
Verlustleistung, NPN
200mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
80hFE
Bauform - Transistor
SOT-363
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
300MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000064
Produktnachverfolgung