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FMMT734
Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 625 mW, 800 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.714 |
| 50+ | CHF 0.496 |
| 100+ | CHF 0.338 |
| 500+ | CHF 0.259 |
| 1500+ | CHF 0.217 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerFMMT734
Bestellnummer9525106
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd625mW
DC-Kollektorstrom800mA
Bauform - HF-TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE60000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FMMT734 ist ein PNP-Silizium-Leistungs-Darlington-Transistor, der eine Verlustleistung von 625mW und sehr hohe hFE-Werte bei hohem Strom (5A) bietet.
- Äußerst niedrige VCE(sat) bei hohen Strom (1A)
- Komplementärer NPN-Baustein: FMMT634
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Verlustleistung Pd
625mW
Bauform - HF-Transistor
SOT-23
DC-Stromverstärkung hFE
60000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
800mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033
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