DMP10H4D2S-7

Der DMP10H4D2S-7 ist ein P-Kanal-MOSFET vom Anreicherungstyp. Diese neue MOSFET-Generation ist für einen minimalen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) bei gleichzeitig hoher Schaltleistung ausgelegt und damit ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen geeignet. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Power-Management-Funktionen, akku-/batteriebetriebene Systeme und Halbleiterrelais, Treiber: Relais, Magnete, Lampen, Hämmer, Anzeigen, Speicher, Transistoren etc.

• Niedrige Gate-Schwellenspannung, niedrige Eingangskapazität, hohe Schaltgeschwindigkeit
• Kompaktes Gehäuse zur Oberflächenmontage (SMD); ESD-Schutz bis 2kV (HBM)
• Drain-Source-Spannung: -100V bei TA = +25°C
• Gate-Source-Spannung: ±20V bei TA = +25°C
• Kontinuierlicher Drainstrom: -0.27A bei TA = 25°C, VGS = -10V, eingeschwungen
• Gepulster Drainstrom (10µs Impuls, Tastverhältnis = 1%): -1A bei TA = +25°C
• Verlustleistung, gesamt: 0.38W bei TA = +25°C
• Body-Dioden-Durchlassstrom: max. -4A bei TA = +25°C
• Gehäuse: SOT23 (Standard)
• Betriebs- und Lagertemperatur: -55°C bis +150°C

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.