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DMN2058UW-7
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.042 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 50+ | CHF 0.186 |
| 100+ | CHF 0.117 |
| 500+ | CHF 0.0879 |
| 1500+ | CHF 0.0743 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN2058UW-7
Bestellnummer3405172
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.042ohm
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Der DMN2058UW-7 ist ein N-Kanal-MOSFET vom Anreicherungstyp. Dieser MOSFET ist für einen minimalen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) bei gleichzeitig hoher Schaltleistung ausgelegt und damit ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen geeignet. Typische Anwendungen umfassen: Motorsteuerungen, Power-Management-Funktionen und Hintergrundbeleuchtung.
- Niedriger Einschaltwiderstand, niedrige Eingangskapazität
- Hohe Schaltgeschwindigkeit, geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
- Drain-Source-Spannung: 20V bei TA = +25°C
- Gate-Source-Spannung: ±12V bei TA = +25°C
- Kontinuierlicher Drainstrom: 3.5A bei TA = 25°C, VGS = 10V, eingeschwungen
- Gepulster Drainstrom (10µs Impuls, Tastverhältnis = 1%): 20A bei TA = +25°C
- Verlustleistung, gesamt: 0.5mW bei TA = +25°C
- Kontinuierlicher Body-Dioden-Durchlassstrom: max. 1A bei TA = +25°C
- Gehäuse: SOT323
- Betriebs- und Lagertemperatur: -55°C bis +150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.5A
Bauform - Transistor
SOT-323
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.042ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
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