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BCX5616TC
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerBCX5616TC
Bestellnummer3405133
ProduktpaletteBCX56
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.238 |
| 10+ | CHF 0.155 |
| 100+ | CHF 0.0933 |
| 500+ | CHF 0.0702 |
| 1000+ | CHF 0.0577 |
| 5000+ | CHF 0.0455 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
CHF 1.19 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerBCX5616TC
Bestellnummer3405133
ProduktpaletteBCX56
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauer-Kollektorstrom1A
Verlustleistung2W
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz150MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.25hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBCX56
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
SOT-89
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
25hFE
Produktpalette
BCX56
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
2W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
150MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
Produktnachverfolgung