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2DB1188R-13
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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| 500+ | CHF 0.151 |
| 1000+ | CHF 0.127 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
Herstellerteilenummer2DB1188R-13
Bestellnummer3943054
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.32V
Dauerkollektorstrom2A
Verlustleistung1W
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz120MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.180hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
2A
Bauform - Transistor
SOT-89
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
180hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
32V
Verlustleistung
1W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
120MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung