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XP2318GEN
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerYAGEO XSEMI
HerstellerteilenummerXP2318GEN
Bestellnummer4168919
ProduktpaletteXP2318G Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.309 |
| 10+ | CHF 0.190 |
| 100+ | CHF 0.0797 |
| 500+ | CHF 0.0733 |
| 1000+ | CHF 0.0718 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerYAGEO XSEMI
HerstellerteilenummerXP2318GEN
Bestellnummer4168919
ProduktpaletteXP2318G Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.5ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.3V
Verlustleistung700mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteXP2318G Series
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
500mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4V
Verlustleistung
700mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
XP2318G Series
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001