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SUP70042E-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.940 |
| 10+ | CHF 1.600 |
| 100+ | CHF 1.530 |
| 500+ | CHF 1.140 |
| 1000+ | CHF 1.020 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUP70042E-GE3
Bestellnummer3773143
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id150A
Drain-Source-Durchgangswiderstand4000µohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung278W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
150A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
278W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
4000µohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung