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SUD19N20-90-E3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| 500+ | CHF 1.300 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSUD19N20-90-E3
Bestellnummer1470144
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id19A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.09ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung3W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell SUD19N20-90-E3 handelt es sich um einen TrenchFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit einer Drain-Source-Spannung von 200VDS, der sich für primärseitige Schaltanwendungen eignet.
- 100% Rg-getestet
- PWM-optimiert
- Sperrschichttemperatur: 175°C
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
19A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.09ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000488
Produktnachverfolgung