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SQS411ENW-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0273 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 1000+ | CHF 0.354 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQS411ENW-T1_GE3
Bestellnummer3019162
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0273ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung53.6W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteTrenchFET
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
16A
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
53.6W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0273ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SQS411ENW-T1_GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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