SQ2301ES-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.596 |
| 10+ | CHF 0.444 |
| 100+ | CHF 0.292 |
| 500+ | CHF 0.223 |
| 1000+ | CHF 0.199 |
| 5000+ | CHF 0.169 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Die neuen MOSFET von Vishay Siliconix gemäß AEC-Q101 für Kfz-Anwendungen werden mithilfe eines dedizierten Prozessablaufs für hohe Robustheit hergestellt. Die MOSFET der Produktreihe SQ sind ausgelegt für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C und verfügen über n- und p-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit niedrigem Durchgangswiderstand in blei (Pb)- und halogenfreien SO-Gehäusen. Optionen umfassen die herkömmlichen D2PAK (TO-263)- und DPAK (TO-252)-Gehäuse sowie mehrere PowerPAK®-Gehäuse, die Platzeinsparungen im Vergleich zu den Bauformen D2PAK, DPAK und SO-8 ermöglichen und gleichzeitig einen ähnlichen Durchgangswiderstand sowie einen vergleichbaren Wärmewiderstand bieten. Die Produktreihe SQ umfasst zudem Bausteine in äußerst kompakten Gehäusen wie TSOP-6, SOT-23 und SC-89.
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
p-Kanal
3.9A
SOT-23
4.5V
3W
175°C
AEC-Q101
No SVHC (21-Jan-2025)
20V
0.12ohm
Oberflächenmontage
1.5V
3Pin(s)
TrenchFET
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat