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SQ2301CES-T1_GE3
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.173 |
| 500+ | CHF 0.136 |
| 1000+ | CHF 0.123 |
| 5000+ | CHF 0.106 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSQ2301CES-T1_GE3
Bestellnummer4644754RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.12ohm
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung3W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.12ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
3.9A
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
3W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung