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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSISS73DN-T1-GE3
Bestellnummer3128853RL
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Wandlerpolaritätp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id16.2A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.1ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.125ohm
Bauform - TransistorPowerPAK 1212
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung Pd65.8W
Verlustleistung65.8W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.1ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK 1212
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
65.8W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Wandlerpolarität
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
16.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.125ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Verlustleistung
65.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000109
Produktnachverfolgung