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SIR690DP-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR690DP-T1-GE3
Bestellnummer2749592RL
ProduktpaletteThunderFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.820 |
| 500+ | CHF 0.770 |
| 1000+ | CHF 0.754 |
| 5000+ | CHF 0.634 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR690DP-T1-GE3
Bestellnummer2749592RL
ProduktpaletteThunderFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id34.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.035ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung104W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteThunderFET
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
34.4A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
104W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.035ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
ThunderFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIR690DP-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
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