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SIR610DP-T1-RE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.4 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR610DP-T1-RE3
Bestellnummer2747691RL
ProduktpaletteThunderFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 1.040 |
| 500+ | CHF 0.836 |
| 1000+ | CHF 0.796 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von CHF 5.00 an
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR610DP-T1-RE3
Bestellnummer2747691RL
ProduktpaletteThunderFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id35.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0319ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung104W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteThunderFET
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Dieser n-Kanal-MOSFET (200V (D-S)) eignet sich für folgende Anwendungen: feste Telekommunikationsanwendungen, DC/DC-Wandler, primär- und sekundärseitiger Schalter, Synchrongleichrichtung, LED-Beleuchtung, Netzteile und Class-D-Verstärker.
- ThunderFET®-Technologie optimiert das Gleichgewicht von RDS(on), Qi, Qsw und Qoss
- 100% Rg- und UIS-getestet
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
35.4A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
104W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0319ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
ThunderFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000178
Produktnachverfolgung