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SIR576DP-T1-RE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 42.2 A, 0.016 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR576DP-T1-RE3
Bestellnummer3782493
ProduktpaletteTrenchFET Gen V
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.340 |
| 10+ | CHF 0.977 |
| 100+ | CHF 0.681 |
| 500+ | CHF 0.498 |
| 1000+ | CHF 0.456 |
| 5000+ | CHF 0.402 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR576DP-T1-RE3
Bestellnummer3782493
ProduktpaletteTrenchFET Gen V
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id42.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.016ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung71.4W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET Gen V
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
42.2A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
71.4W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.016ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET Gen V
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIR576DP-T1-RE3
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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