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SIHH105N60EF-T1GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.105 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 500+ | CHF 2.420 |
| 1000+ | CHF 2.380 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHH105N60EF-T1GE3
Bestellnummer3817729RL
ProduktpaletteEF
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id26A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.091ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.105ohm
Bauform - TransistorPowerPAK
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung Pd174W
Verlustleistung174W
Anzahl der Pins5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteEF
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.091ohm
Bauform - Transistor
PowerPAK
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
174W
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Produktpalette
EF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.105ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung
174W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536