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SIHH070N60EF-T1GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.071 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHH070N60EF-T1GE3
Bestellnummer3263504
ProduktpaletteEF
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id36A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.071ohm
Bauform - TransistorPowerPAK
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung202W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteEF
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
SIHH070N60EF-T1GE3 is an EF series power MOSFET with fast body diode. It features the 4th generation E series technology. Application includes server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), high-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting (lighting), welding, induction heating, motor drives, battery chargers and solar (PV inverters) (industrial).
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg, low effective capacitance (Co(er))
- Reduced switching and conduction losses, avalanche energy rated (UIS)
- Maximum power dissipation is 202W (TC = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 3 to 5V (TJ = 25°C, VDS = VGS, ID = 250μA)
- Drain-source breakdown voltage is 600V (VGS = 0V, ID = 250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current (TJ = 150 °C) is 36A (TC = 25°C, VGS at 10V)
- Turn-on delay time is 36ns, fall time is 38ns (typ, VDD = 480V, ID = 15A, VGS = 10V, Rg = 9.1ohm)
- Diode forward voltage is 1.2V (TJ = 25 °C, IS = 15A, VGS = 0V)
- PowerPAK 8 x 8 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
36A
Bauform - Transistor
PowerPAK
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
202W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.071ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
EF
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004
Produktnachverfolgung