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SIHA22N60EF-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.500 |
| 10+ | CHF 2.620 |
| 100+ | CHF 1.860 |
| 500+ | CHF 1.540 |
| 1000+ | CHF 1.530 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIHA22N60EF-GE3
Bestellnummer3104154
ProduktpaletteEF
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id19A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.182ohm
Bauform - TransistorTO-220FP
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung33W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteEF
Qualifikation-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
19A
Bauform - Transistor
TO-220FP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
33W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.182ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
EF
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIHA22N60EF-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.02
Produktnachverfolgung