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SIA436DJ-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.205 |
| 9000+ | CHF 0.194 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
CHF 615.00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIA436DJ-T1-GE3
Bestellnummer4320194
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds8V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand9400µohm
Bauform - TransistorPowerPAK SC-70
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.350mV
Verlustleistung19W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
PowerPAK SC-70
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
19W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
9400µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
350mV
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00012
Produktnachverfolgung