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SI4436DY-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4436DY-T1-GE3
Bestellnummer1858952RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.036ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell SI4436DY-T1-GE3 handelt es sich um einen TrenchFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit einer Drain-Source-Spannung von 60VDS, der sich für CCFL-Inverter-Anwendungen eignet.
- 100% Rg-getestet
- 100% UIS-getestet
- Optimiert für Low-Side-Synchrongleichrichterbetrieb
- Halogenfrei
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Beleuchtung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.036ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für SI4436DY-T1-GE3
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000226
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