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SI4162DY-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19.3 A, 7900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI4162DY-T1-GE3
Bestellnummer1779240RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id19.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand7900µohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell SI4162DY-T1-GE3 handelt es sich um einen TrenchFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit einer Drain-Source-Spannung von 30VDS, der sich für DC/DC-Wandleranwendungen eignet.
- Gate-Widerstand (Rg): 100% getestet
- UIS: 100% getestet
- Halogenfrei
- Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
19.3A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
7900µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für SI4162DY-T1-GE3
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000134
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