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SI2356DS-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2356DS-T1-GE3
Bestellnummer2646369RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id4.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.051ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung1.7W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
SI2356DS-T1-GE3 von Vishay ist ein 40V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem SOT 23-Gehause zur Oberflachenmontage. Dieser Baustein eignet sich fur DC/DC-Wandler, Lastschalter, LED-Hintergrundbeleuchtung und Power-Management-Anwendungen.
- TrenchFET?-Leistungs-MOSFET
- 100% Rg-getestet
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4.3A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.7W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.051ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000127
Produktnachverfolgung