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SI2336DS-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.402 |
| 10+ | CHF 0.295 |
| 100+ | CHF 0.248 |
| 500+ | CHF 0.198 |
| 1000+ | CHF 0.178 |
| 5000+ | CHF 0.134 |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSI2336DS-T1-GE3
Bestellnummer1858945
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.034ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.400mV
Verlustleistung1.8W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktbeschreibung
- N-channel 30V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
- Used in DC/DC converters, boost converters
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
5.2A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.034ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
400mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SI2336DS-T1-GE3
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008