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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerIRFBE30PBF
Bestellnummer8648859
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds800V
Dauer-Drainstrom Id4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand3ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung125W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IRFBE30PBF ist ein 800V-n-Kanal-HEXFET®-Leistungs-MOSFET der dritten Generation, der die beste Kombination aus hoher Schaltfrequenz, robustem Design und niedrigem Durchgangswiderstand bietet. Dieses Gehäuse wird universell empfohlen für alle gewerblich-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen von etwa 50W.
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Wiederholt Avalanche-fähig
- Betriebstemperatur: 150°C
- Einfache Parallelschaltung
- Einfache Ansteuerungsanforderung
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4.1A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
125W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
800V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
3ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Israel
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung