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BPW85A
Fototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 (3mm)
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| 50+ | CHF 0.267 |
| 100+ | CHF 0.246 |
| 500+ | CHF 0.218 |
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Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 2.5mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
850nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
T-1 (3mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Abstrahlwinkel
25°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000145
Produktnachverfolgung