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SSM3K56FS,LF(T
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM3K56FS,LF(T
Bestellnummer3872293
Auch bekannt alsSSM3K56FS ,SSM3K56FS,LF
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.543 |
| 50+ | CHF 0.359 |
| 100+ | CHF 0.230 |
| 500+ | CHF 0.182 |
| 1500+ | CHF 0.161 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM3K56FS,LF(T
Bestellnummer3872293
Auch bekannt alsSSM3K56FS ,SSM3K56FS,LF
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.235ohm
Bauform - TransistorSOT-416
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung150mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
800mA
Bauform - Transistor
SOT-416
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
150mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.235ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung