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SSM3J327R,LF(T
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.165 |
| 9000+ | CHF 0.132 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
CHF 495.00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM3J327R,LF(T
Bestellnummer4320107
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.093ohm
Bauform - TransistorSOT-23F
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung1W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3.9A
Bauform - Transistor
SOT-23F
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.093ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung