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2SJ305(TE85L,F)
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 4 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SJ305(TE85L,F)
Bestellnummer4707844
Auch bekannt als2SJ305
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.683 |
| 10+ | CHF 0.447 |
| 100+ | CHF 0.289 |
| 500+ | CHF 0.221 |
| 1000+ | CHF 0.199 |
| 5000+ | CHF 0.150 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SJ305(TE85L,F)
Bestellnummer4707844
Auch bekannt als2SJ305
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand4ohm
Bauform - TransistorTO-236MOD
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung2.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung200mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
200mA
Bauform - Transistor
TO-236MOD
Rds(on)-Prüfspannung
2.5V
Verlustleistung
200mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
4ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002747
Produktnachverfolgung